| GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管 |
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| 引用本文： | 李正凯,严启荣,罗长得,肖汉章,章勇. GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管[J]. 光子学报, 2013, 42(7) |
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| 作者姓名： | 李正凯 严启荣 罗长得 肖汉章 章勇 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省自然科学基金，广东省科技攻关项目，华南师范大学学生课外科研重点课题项目 |
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| 摘 要： | 针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分析了其可行性.利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管,并对不同GaN垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析,结果表明沿n-GaN到p-GaN方向减小GaN垒层厚度能实现双蓝光发射,并有较好的发光效率.交流阻抗谱结果显示相关双蓝光波长发光二极管可以用一个电阻Rp与电容Cp并联后与一个Rs串联电路来模拟,GaN垒层变化能调节并联电阻和电容,对串联电阻没有影响.此外,基于垒层减小的双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+荧光粉实现了高显色指数的白光发射.
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| 关 键 词： | GaN 垒层厚度 InGaN/GaN量子阱 双蓝光波长 |
Dual-blue Wavelength Light-emitting Diodes Based on Varied GaN Barrier Thickness |
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| LI Zheng-kai , YAN Qi-rong , LUO Chang-de , XIAO Han-zhang , ZHANG Yong. Dual-blue Wavelength Light-emitting Diodes Based on Varied GaN Barrier Thickness[J]. Acta Photonica Sinica, 2013, 42(7) |
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| Authors: | LI Zheng-kai YAN Qi-rong LUO Chang-de XIAO Han-zhang ZHANG Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Barrier thickness InGaN/GaN quantum well Dual-blue wavelength |
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