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| 硅表面SiO_2薄膜中钠的沾污 | |
| 引用本文： | 谢宗钧,李和炳,阎增新.硅表面SiO_2薄膜中钠的沾污[J].物理,1980(5). |
| 作者姓名： | 谢宗钧 李和炳 阎增新 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (谢宗钧，李和炳)，中国科学院半导体研究所(阎增新) |
| 摘 要： | 在半导体器件中,由于硅表面SiO2薄膜中钠的沾污,严重地影响着器件的稳定性、可靠性及成品率.对于MOS器件,这一影响就更为突出,因此深为人们关注.究竟如何有效地除去氧化膜中的Na ,提高器件的可靠性和电学稳定性,这已成为国内外研究的重要课题. 已有大量的实验证实,在1150℃下的氧化气氛中掺进6%克分子浓度的HCl气体,能大大减少氧化膜中可动的离子数1-5].但机理尚不明确,影响了它的广泛应用.对此,我们利用中子活化与离子微探针分析技术,通过测定SiO2薄膜中钠的含量及Na 与Cl-在氧化膜中的纵向分布,研究了掺HCl氧化改善Na 影响的机理;… |
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