| 晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性 |
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| 作者姓名： | 李凤 马忠权 孟夏杰 殷晏庭 于征汕 吕鹏 |
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| 作者单位： | (1)上海大学物理系,上海 200444; (2)上海索朗太阳能科技有限公司,上海 200120 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60876045)、上海市重点学科建设基金(批准号:S30105)、上海市科学技术委员会基础研究重点项目(批准号:09JC1405900)和上海大学研究生创新基金(批准号:SHUCX091012)资助的课题. |
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| 摘 要： | 以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率（IQE）的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低（在135×1011 cm-3左右）,已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散
关键词：
少子寿命
陷阱浓度
内量子效率
Fe-B对
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| 关 键 词： | 少子寿命 陷阱浓度 内量子效率 Fe-B对 |
| 收稿时间： | 2009-07-30 |
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