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齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用
引用本文:杨宝麟,田洪坤,宋德,闫东航,耿延候,王佛松. 齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用[J]. 分子科学学报, 2009, 25(3)
作者姓名:杨宝麟  田洪坤  宋德  闫东航  耿延候  王佛松
作者单位:1. 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林,长春,130022;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林,长春,130022
摘    要:通过Stille偶联反应合成了5.5"-二辛基.2.2':5'2'-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V·s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.

关 键 词:[3,2-b]并二噻吩  有机半导体  有机薄膜晶体管

Synthesis and characterization of oligothieno[3,2-b] thiophene and its application in organic thin-film transistors
YANG Bao-lin,TIAN Hong-kun,SONG De,YAN Dong-hang,GENG Yan-hou,WANG Fo-song. Synthesis and characterization of oligothieno[3,2-b] thiophene and its application in organic thin-film transistors[J]. Journal of Molecular Science, 2009, 25(3)
Authors:YANG Bao-lin  TIAN Hong-kun  SONG De  YAN Dong-hang  GENG Yan-hou  WANG Fo-song
Affiliation:YANG Bao-lin1,2,TIAN Hong-kun1,SONG De1,YAN Dong-hang1,GENG Yan-hou,1,WANG Fo-song1(1.State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry,Changchun Institute of Applied Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130022,China,2.Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)
Abstract:
Keywords:thieno[3  2-b]thiophene  organic semiconductor  organic thin film transistors  
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