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| 量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响 | |
| 作者单位： | ;1.天津工业大学电气工程与自动化学院天津市电工电能新技术重点实验室大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心 |
| 摘 要： | GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性. |
| 关 键 词： | 大功率 AlGaInP LED 俄歇复合 载流子溢出 |
Effects of the QW Thickness and QB Doping on Efficiency Attenuation Characteristics of High Power LED AlGaInP |
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