PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究 |
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引用本文: | 姚明珍,顾牧,梁玲,段勇,马晓辉. PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究[J]. 物理学报, 2002, 51(1) |
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作者姓名: | 姚明珍 顾牧 梁玲 段勇 马晓辉 |
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作者单位: | 同济大学物理系,上海,200092 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,上海市教委资助项目,教育部高校骨干教师资助计划,上海市高等学校科技发展基金 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能. 结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42-基团的禁带宽度明显变小.
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关 键 词: | PbWO4晶体 密度泛函 氧空位和铅空位 态密度分布 |
Electronic structures of defects associated with intrinsic vacancies in PbWO crystals |
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