磷在SiO2-Si系统中的扩散

用中子激活方法,对气态P₂O₅在SiO₂-Si系统中的扩散分布进行了直接测量。样品为p型Si单晶,电阻率为3—5欧姆·厘米,氧化层是在1250℃下水汽中生长的,其厚度为0.45—0.47微米。实验结果表明:对于完全掩蔽的样品,磷在SiO₂层中的浓度分布有个陡峭的边界;对于掩蔽失效情形,在靠近SiO₂-Si交界面约0.1微米的SiO₂层内,磷的浓度显著地降低,出现一个明显的交界层,在交界层以外的SiO₂层中磷的浓度是均匀的和恒定的,而交界层中磷的浓度及磷在Si中的表面浓度都随时间的延长而显著地升高,文中对所得的结果作了简单讨论。