AlxGa1—xAs/GaAs异质结材料的XPS研究 |
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引用本文: | 任殿胜,华庆恒.AlxGa1—xAs/GaAs异质结材料的XPS研究[J].化学物理学报,1997,10(3):272-275. |
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作者姓名: | 任殿胜 华庆恒 |
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作者单位: | 电子工业部第四十六研究所 |
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摘 要: | 用X射线光电子能谱(XPS)结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同x值的AlxGa1-xAs/GaAs异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析,发现Al向表面偏析的现象及As和Al的择优溅射问题,并对此进行了讨论。同时用XPS法进行了Al的定量分析,并与光致发光法测得的X值进行了对比,发现二者有非常好的线性关系。
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关 键 词: | XPS 异质结材料 铝 镓 砷 |
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