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| 19F+51V耗散反应同位素类弹碎片的截面涨落 | |
| 作者姓名： | 王琦 卢俊 徐瑚珊 李松林 诸永泰 殷旭 范恩杰 张玉虎 李志常 赵葵 路秀琴 胡晓庆 |
| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所，中国原子能科学研究院，中国科学院高能物理研究所 |
| 摘 要： | 采用飞行时间(TOF)加△E-E探测系统,在102.25-109.50MeV(能量步长为250keV)的19T+51V反应中,第一次给出了耗散碰撞同位素产物的激发函数,讨论了双核系统的能量相干宽度Γ与产物的质量数A和Γ与产物的中子过剩自由度N/Z的依赖关系. |
| 关 键 词： | 耗散反应 同位素产物 激发函数 能量相干宽度Γ 质量数A 中子过剩自由度N/Z |
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