| 低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 崔 灿,马向阳,杨德仁. 低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响[J]. 中国物理 B, 2008, 17(2): 1037-1042 |
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| 作者姓名： | 崔 灿 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江理工大学物理系，杭州 310018；浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027 |
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| 基金项目： | 教育部创新团队和新世纪优秀人才支持计划、国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：2007CB6130403)和浙江理工大学科研启动基金(批准号：0613265-Y)资助的课题. |
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| 摘 要： | 研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃，然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明，Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中，低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明，低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预
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| 关 键 词： | 直拉硅， 氧沉淀， 退火 |
Effect of ramping from low temperatures on oxygen precipitation in Czochralski silicon |
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| Cui Can,Ma Xiang-Yang and Yang De-Ren. Effect of ramping from low temperatures on oxygen precipitation in Czochralski silicon[J]. Chinese Physics B, 2008, 17(2): 1037-1042 |
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| Authors: | Cui Can Ma Xiang-Yang Yang De-Ren |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Czochralski silicon oxygen precipitates annealing |
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