| 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究 |
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| 引用本文： | 张春光,卞留芳,陈维德.掺铕GaN薄膜的Raman散射研究[J].中国稀土学报,2006,24(3):279-283. |
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| 作者姓名： | 张春光 卞留芳 陈维德 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明，Eu离子注入剂量越大，对晶格的损伤越严重；Eu离子注入的能量越高，对晶格的损伤也越严重；采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火，可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明，1000℃的高温退火导致了GaN的分解。
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 Raman散射 铕 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343（2006）03-0279-05 |
| 收稿时间： | 04 10 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-04-102005-12-20 |
Raman Scattering Study of Eu-Implanted GaN |
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| Zhang Chunguang,Bian Liufang,Chen Weide.Raman Scattering Study of Eu-Implanted GaN[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2006,24(3):279-283. |
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| Authors: | Zhang Chunguang Bian Liufang Chen Weide |
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| Institution: | State Key Laboratory for Surface Physics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Eu |
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