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有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响
引用本文:吴慧婷,王海龙,姜黎明.有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响[J].物理学报,2009,58(1).
作者姓名:吴慧婷  王海龙  姜黎明
作者单位:曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165
基金项目:教育部留学回国人员科研启动基金 
摘    要:用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半径、杂质位置以及外电场的变化规律.

关 键 词:球形量子点  平面波展开法  有效质量

Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot
Wu Hui-Ting,Wang Hai-Long,Jiang Li-Ming.Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot[J].Acta Physica Sinica,2009,58(1).
Authors:Wu Hui-Ting  Wang Hai-Long  Jiang Li-Ming
Abstract:
Keywords:
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