| 化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷 |
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| 引用本文： | 吕海涛,张维连,左燕,步云英.化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷[J].半导体技术,2004,29(4):48-51. |
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| 作者姓名： | 吕海涛 张维连 左燕 步云英 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,天津,300130;天津半导体技术研究所,天津,300051 |
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| 摘 要： | 采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.
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| 关 键 词： | 蓝宝石单晶 位错 化学腐蚀 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)04-0048-04 |
| 修稿时间： | 2003年6月16日 |
Study on the dislocation of the sapphire crystal with chemical etching |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sapphire crystal dislocation chemical etch |
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