| Hf0.5Zr0.5O2超薄薄膜铁电性及其晶相演变 |
| |
| 引用本文： | 何业法,徐华义,邬海龙,周海芳,赖云锋.Hf0.5Zr0.5O2超薄薄膜铁电性及其晶相演变[J].福州大学学报(自然科学版),2022,50(5):616-620. |
| |
| 作者姓名： | 何业法 徐华义 邬海龙 周海芳 赖云锋 |
| |
| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院 |
| |
| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
| |
| 摘 要： | 超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜在低功耗逻辑器件和非易失性铁电存储方面有着巨大的应用潜力.本文制备了不同厚度HZO薄膜，并使用不同退火温度进行处理，在最优温度条件下所制备薄膜的两倍剩余极化强度(2Pr)可达~40 μC?cm-2，其矫顽场(Ec)低至±1.15 MV?cm-1，响应速度明显优于传统铁电材料.研究表明，虽然HZO薄膜正交相(Pca21)与其铁电性有极大关系，但过高的退火温度将导致四方相(P42/nmc)向单斜相(P21/c)转变，从而降低铁电性.本研究为高性能HZO铁电器件的研究提供了参考.
|
| 关 键 词： | 铪锆氧 铁电薄膜 剩余极化强度 退火温度 正交晶相 |
| 收稿时间： | 2021/12/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/3/15 0:00:00 |
Ferroelectricity and crystalline phase evolution of Hf0.5Zr0.5O2 ultrathin films |
| |
| HE Yef,XU Huayi,WU Hailong,ZHOU Haifang,LAI Yunfeng.Ferroelectricity and crystalline phase evolution of Hf0.5Zr0.5O2 ultrathin films[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2022,50(5):616-620. |
| |
| Authors: | HE Yef XU Huayi WU Hailong ZHOU Haifang LAI Yunfeng |
| |
| Institution: | College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HZO ferroelectric films remanent polarization annealing temperature orthorhombic phase |
|
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
