| 中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究 |
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| 引用本文： | 罗文芸,王朝壮,贺新福,樊胜,黄小龙,王传珊. 中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究[J]. 中国物理 C, 2006, 30(11): 1088-1090 |
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| 作者姓名： | 罗文芸 王朝壮 贺新福 樊胜 黄小龙 王传珊 |
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| 作者单位： | [1]上海大学射线应用研究所,上海201800 [2]中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413 |
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| 摘 要： | 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一. 运用改进的Monte Carlo程序SHIELD, 建立了质子的NIEL计算手段, 模拟计算了能量范围在10—400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布.
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| 关 键 词： | 质子 非电离能损 硅 砷化镓 |
| 收稿时间： | 2006-01-24 |
| 修稿时间： | 2006-01-24 |
Non-ionizing Energy Loss of Middle Energy Proton in Si and GaAs |
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| LUO Wen-Yun,WANG Chao-Zhuang,HE Xin-Fu,FAN Sheng,HUANG Xiao-Long,WANG Chuan-Shan. Non-ionizing Energy Loss of Middle Energy Proton in Si and GaAs[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2006, 30(11): 1088-1090 |
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| Authors: | LUO Wen-Yun WANG Chao-Zhuang HE Xin-Fu FAN Sheng HUANG Xiao-Long WANG Chuan-Shan |
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| Affiliation: | 1.Shanghai Applied Radiation Institute, Shanghai University, Shanghai 201800, China.2.China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China |
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| Abstract: | The displacement damage effects due to Non-ionizing Energy Loss (NIEL) is one reason of device-malfunction in Space. The NIEL induced by proton with energies from 10MeV to 400MeV in Si and GaAs have been calculated using updated Monte-Carlo code SHIELD. |
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| Keywords: | proton NIEL Si GaAs |
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