| 铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭 |
| |
| 引用本文： | 李媛媛,李清山,倪梦莹,王会新,曹小龙.铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭[J].发光学报,2004,25(5):556-560. |
| |
| 作者姓名： | 李媛媛 李清山 倪梦莹 王会新 曹小龙 |
| |
| 作者单位： | 曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165 |
| |
| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09) |
| |
| 摘 要： | 采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层，通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究，讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明，掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应，并使多孔硅的发光峰位蓝移。由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少，而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心，从而使多孔硅的光致发光强度衰减。且浸泡溶液的浓度越高，这种猝灭效应越明显。而多孔硅发光峰位的蓝移，则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。
|
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 傅里叶变换红外 浸泡镀敷 猝灭 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)05-0556-05 |
| 修稿时间： | 2003年12月9日 |
Quenching of Copper-doped Porous Silicon Photoluminescence |
| |
| LI Yuan-yuan,LI Qing-shan,NI Meng-ying,WANG Hui-xin,CAO Xiao-long.Quenching of Copper-doped Porous Silicon Photoluminescence[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(5):556-560. |
| |
| Authors: | LI Yuan-yuan LI Qing-shan NI Meng-ying WANG Hui-xin CAO Xiao-long |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | porous silicon photoluminescence FTIR immersion plating quenching |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
