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High-resolution X-ray diffraction investigation of crystal perfection and relaxation of GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells depending on MOVPE growth conditions
Authors:U. Zeimer  F. Bugge  S. Gramlich  I. Urban  A. Oster  M. Weyers
Affiliation:1. Ferdinand-Braun-Institut für H?chstfrequenztechnik, Berlin Rudower Chaussee 5, 12489, Berlin, Germany
2. Bundesanstalt für Materialforschung und-prüfung, Unter den Eichen 87, 12205, Berlin, Germany
Abstract:
Keywords:
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