| 高取向硼纳米线列阵 |
| |
| 引用本文： | 曹立民,张泽,王文魁.高取向硼纳米线列阵[J].中国科学(G辑),2003,33(6):551-560. |
| |
| 作者姓名： | 曹立民 张泽 王文魁 |
| |
| 作者单位： | 1. 燕山大学材料工程学院,秦皇岛,066004;中国科学院物理研究所,北京,100080
2. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 50171077和10004014) |
| |
| 摘 要： | 一维纳米材料(纳米线和纳米管)是能有效传输电子和各种激子的最小维数结构, 因此是构筑纳米电子和纳米机械器件的基本组元. 采用射频磁控溅射方法, 以Ar气为溅射气体, 纯硼粉和氧化硼粉为靶材, 合成了直径在20~80 nm的硼纳米线, 这些硼纳米线在基片上自组织成垂直生长的高取向列阵, 具有大面积、高密度而离散、均匀性好、平行排列、高定向生长的特点. 它的独特特点是具有平台式顶部形貌, 详细的结构和成分研究表明硼纳米线具有非晶结构. 在合成硼纳米线及其高取向列阵的过程中, 没有涉及到任何的模板和金属触媒. 相信硼纳米线——一维纳米材料系统中的新成员, 会具有很多新奇、有趣、有用的独特性能. 提出了一种汽-团簇-固(VCS)机制来解释硼纳米线的形成.
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 列阵 自组织 硼纳米线 |
| 收稿时间： | 2003-02-19 |
| 修稿时间： | 2003-10-27 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》下载免费的PDF全文 |
|
