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| 吸附溶出伏安法测定痕量硒——铜离子对二溴代苤硒脑体系的增敏作用 | |
| 作者姓名： | 蔡乾涛 施文赵 王永丽 陆晓华 |
| 作者单位： | 华中理工大学化学系，华中理工大学化学系，华中理工大学化学系，华中理工大学化学系 武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074 |
| 摘 要： | 本文发现Cu~(2+)离子对二溴代苤硒脑在悬汞电极上的吸附溶出行为有显著增敏作用,从而建立了灵敏度高、选择性好的测定痕量硒的吸附溶出伏安法。线性范围为0.02～50ng/ml,检出下限达5×10~(-4)ng/ml。本文初步探讨了Cu~(2+)的增敏机制。 |
| 关 键 词： | 硒 吸附溶出伏安法 增敏作用 二溴代苤硒脑 |
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