Direct phonon-assisted transitions near the fundamental absorption edge in CuInSe2 |
| |
Authors: | C Rincón J González G Sanchez Pérez C Bellabarba |
| |
Institution: | (1) Departmento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela |
| |
Abstract: | Summary The absorption spectrum near the fundamental absorption edge of an-type CuInSe2 single crystal grown by the Bridgman method has been studied at 100 and 300 K. An absorption edge corresponding to the direct-band-gap
transition is observed at about 1 eV. An additional absorption is observed at lower energies ((0.93÷0.95) eV) and is attributed
to direct transitions assisted by long-wave-length optical phonons.
Riassunto Lo spettro di assorbimento vicino al bordo di assorbimento fondamentale di un cristallo singolo di tipon di CuInSe2, cresciuto col metodo di Bridgman, è stato studiato a 100 e 300 K. Si osserva un bordo di assorbimento in corrispondenza
della transizione del gap di banda diretta a circa 1 eV. Un ulteriore assorbimento è osservato a energie inferiori ((0.93÷0.95)
eV) ed è attribuito a transizioni dirette alla presenza di fononi ottici a grande lunghezza d'onda.
Резюме При 100 К и 300 К исследуется спектр поглощения вблизи основного края поглощения монокристалла CuInSe2
n-типа, выращенного по методу Ъридгмана, Вблизи 1 эВ обнаружен край поглощения, соответствующий прямому переходу. Дополнительное
поглощение наблюдается при меньших энергиях ((0.93÷0.95) эВ) и приписывается прямым переходом, связанным с длинноволновыми
оптическими фононами.
Paper presented at the ?V International Conference on Ternary and Multinary Compounds?, held in Cagliari, September 14–16,
1982. |
| |
Keywords: | |
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录! |
|