| 铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究 |
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| 引用本文： | 石自彬,李和新,龙勇,王佳,漆婷,胡少勤.铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究[J].压电与声光,2015,37(2):274-276. |
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| 作者姓名： | 石自彬 李和新 龙勇 王佳 漆婷 胡少勤 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 摘 要： | 该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。
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| 关 键 词： | La3Ga5.5Nb0.5O14晶体 提拉法 压电性能 |
Growth and Characterization of La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14) Single Crystals |
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| SHI Zibin,LI Hexin,LONG Yong,WANG Ji,QI Ting and HU Shaoqin.Growth and Characterization of La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14) Single Crystals[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(2):274-276. |
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| Authors: | SHI Zibin LI Hexin LONG Yong WANG Ji QI Ting and HU Shaoqin |
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| Institution: | (26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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