| IC用高纯试剂中金属杂质分析 |
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| 引用本文： | 朱春富 吴琼. IC用高纯试剂中金属杂质分析[J]. 光谱学与光谱分析, 1994, 14(3): 71-78 |
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| 作者姓名： | 朱春富 吴琼 |
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| 作者单位： | 电子部电子专用材料质量检测中心 |
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| 摘 要： | 对ＨＣｌ，ＨＦ和ＨＮＯ３三种ＭＯＳ级高纯试剂中１８种金属杂质用发射光谱进行分析研究，取２０ｍｌ样品，加入适量甘露醇络合硼杂质，在有机玻璃防尘罩内低温挥发基体富集杂质，最后将杂质溶液转移到一对平头电极上，用电弧光谱进行测定。检测限为０．２－４．０（ｎｇ／ｍｌ），加入标准的回收率绝大部分在９０％以上。
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| 关 键 词： | 集成电路 高纯试剂 金属杂质 |
THE ANALYSIS OF METAL IMPURITY IN HIGH PURITY CHEMICAL REAGENTS |
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| ZHU Chunfu and WU Qong. THE ANALYSIS OF METAL IMPURITY IN HIGH PURITY CHEMICAL REAGENTS[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 1994, 14(3): 71-78 |
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| Authors: | ZHU Chunfu and WU Qong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Large scale integrated circuit High purity chemical reagent Emissionspectroscopy |
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