临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展 |
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引用本文: | 王方成,刘强,李金辉,叶振文,黄明起,张国平,孙蓉.临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展[J].电子与封装,2023(3):38-46. |
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作者姓名: | 王方成 刘强 李金辉 叶振文 黄明起 张国平 孙蓉 |
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作者单位: | 1. 中国科学院深圳先进技术研究院;2. 深圳先进电子材料国际创新研究院;3. 深圳市化讯半导体材料有限公司 |
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摘 要: | 随着5G、人工智能和物联网等新基建的逐步完善,单纯依靠缩小工艺尺寸来提升芯片功能和性能的方法已经难以适应未来集成电路产业发展的需求。为满足集成电路的多功能化及产品的多元化,通过晶圆级封装技术克服摩尔定律物理扩展的局限性日趋重要。目前,在晶圆级封装正朝着大尺寸、三维堆叠和轻薄化方向发展的背景下,临时键合与解键合(TBDB)工艺应运而生。针对晶圆级封装领域可商用的TBDB技术,论述了不同TBDB工艺在晶圆级封装领域的研究进展及应用现状,明晰了不同TBDB技术所面临的挑战和机遇,提出了相应的解决方案,并展望了未来的研究方向。
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关 键 词: | 临时键合 解键合 晶圆级封装 |
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