8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究

氮化镓作为第三代半导体材料的代表，具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能，所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势，在Si衬底上外延GaN已成为主要研究热点。通过使用MOCVD（金属有机化学气相沉积系统）成功在8英寸Si衬底上外延生长出AlGaN/GaN HEMT薄膜材料，结果表明外延片光滑无裂纹、具有低翘曲度、高均匀性、高结晶质量以及高的导通能力和耐压能力。