生长在图形化蓝宝石衬底上的GaN薄膜光学性质研究 |
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引用本文: | 郑俊娜,王党会,许天旱.生长在图形化蓝宝石衬底上的GaN薄膜光学性质研究[J].电子与封装,2023(4):79-83. |
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作者姓名: | 郑俊娜 王党会 许天旱 |
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作者单位: | 西安石油大学新能源学院 |
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摘 要: | 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术作为提高LED发光效率的方法之一,一直备受关注。研究了PSS上生长的GaN薄膜的表面形貌、吸收光谱、红外光谱、拉曼散射(Raman)和太赫兹光谱等,并与常规蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜进行对比。结果表明,PSS上生长的GaN外延薄膜的表面形貌、光提取效率(LEE)得到明显改善。此研究成果对进一步提高GaN基短波(蓝/紫光)发光二极管(LED)的发光效率具有一定的借鉴意义,为进一步拓展PSS器件的太赫兹响应提供了依据。
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关 键 词: | 图形化蓝宝石衬底 GaN薄膜 光学性质 |
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