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| Si,GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应 | |
| 引用本文： | 陈昌,魏成连,董玉兰,刘世杰,夏广昌,范景云,王启良,高之纬.Si,GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应[J].物理学报,1979(3). |
| 作者姓名： | 陈昌 魏成连 董玉兰 刘世杰 夏广昌 范景云 王启良 高之纬 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所 (陈昌，魏成连，董玉兰，刘世杰，夏广昌，范景云，王启良)，中国科学院高能物理研究所(高之纬) |
| 摘 要： | 我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO_3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_(1/2)值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_(1/2)值。 |
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