| 一种抗辐射加固FPGA 编程电路的设计与实现 |
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| 引用本文： | 吴利华,韩小炜,赵岩,刘忠立,于芳,陈陵都.一种抗辐射加固FPGA 编程电路的设计与实现[J].半导体学报,2011,32(8):085012-6. |
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| 作者姓名： | 吴利华 韩小炜 赵岩 刘忠立 于芳 陈陵都 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 本文介绍了抗辐射加固SOI-SRAM基FPGA编程电路的设计与实现。该电路完成FPGA配置数据的下载与回读。该编程电路采用编程点直接寻址的方式，相对典型的移位寄存器链寻址方式不仅能够节约面积开销而且可以提供更为灵活的配置选择。通过对本电路提出的部分配置控制寄存器的配置，该编程电路可以实现的最小配置单元仅包含1位数据，FPGA更为灵活的部分重配置功能得以方便实现。层次化的仿真策略，对关键路径的优化及精密的版图布局保证了该电路的性能。此外对编程点进行了抗辐射加固设计。该电路在基于0.5μm部分耗尽SOI工艺SRAM基的FPGA中实现。功能测试结果表明, 该编程电路成功实现FPGA配置数据的下载与回读，且抗辐照实验结果表明，抗总剂量水平超过1x105Krad(Si), 抗瞬态剂量率水平超过1.5x1011 rad(Si)/s，抗中子注入量水平达到1x1014 n/cm2。
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| 关 键 词： | 编程电路 FPGA 抗辐射 设计 静态随机存取存储器 现场可编程门阵列 配置数据 CMOS工艺 |
| 收稿时间： | 2/24/2011 5:01:19 PM |
Design and implementation of a programming circuit in radiation-hardened FPGA |
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| Wu Lihu,Han Xiaowei,Zhao Yan,Liu Zhongli,Yu Fang and Stanley L. Chen.Design and implementation of a programming circuit in radiation-hardened FPGA[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(8):085012-6. |
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| Authors: | Wu Lihu Han Xiaowei Zhao Yan Liu Zhongli Yu Fang and Stanley L Chen |
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| Institution: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FPGA configuration read back partial configuration partial-depletion SOI radiation-hardened |
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