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5,3′,5′-三磺酸基-2,3,4,4′-四羟基脱氧安息香三钠盐的合成、晶体结构及性质研究
引用本文:延玺,吴福丽,刘芸,李加冕,郑泽宝,闫会卿,司书峰.5,3′,5′-三磺酸基-2,3,4,4′-四羟基脱氧安息香三钠盐的合成、晶体结构及性质研究[J].高等学校化学学报,2005(9).
作者姓名:延玺  吴福丽  刘芸  李加冕  郑泽宝  闫会卿  司书峰
作者单位:北京师范大学化学系 北京100875 (延玺,吴福丽,刘芸,李加冕,郑泽宝,闫会卿),北京师范大学化学系 北京100875(司书峰)
基金项目:国家自然科学基金(批准号:20271008),北京市重点学科基金,北京师范大学放射性药物化学教育部重点实验室基金(批准号:0503)资助.
摘    要:合成了水溶性很好的5,3′,5′-三磺酸基-2,3,4,4′-四羟基脱氧安息香三钠盐(TTDB),采用IR、UV、1HNMR和元素分析对其结构进行了表征,并利用X射线单晶衍射仪测定了该化合物的晶体结构.使用荧光光谱法检测了化合物对羟基自由基的清除作用.用循环伏安法探讨了化合物的电化学性质.实验结果表明,5,3′,5′-三磺酸基-2,3,4,4′-四羟基脱氧安息香三钠盐C14H17Na3O18S3]属于单斜晶系,空间群C2/c,a=1·4223(4)nm,b=2·4327(8)nm,c=1·3596(4)nm,α=90°,β=113·044(5)°,γ=90°,Z=8,V=4·329(2)nm3,Dc=1·925Mg/m3,F(000)=2568,Mr=627·43,R1=0·0950,wR2=0·2648.TTDB的抗羟基自由基的氧化作用优于其相应的脱氧安息香THDB,前者清除羟基自由基的半数有效浓度(EC50)为47·3μmol/L,而后者的EC50则为53·1μmol/L.电化学研究结果表明,THDB和TTDB的氧化还原过程有所差异,前者负扫时在-1·016和-1·228V处出现两个还原峰,正扫时在0·219V处出现一个氧化峰,但后者负扫时仅在-0·999V出现一个还原峰,正扫时在0·193V出现一个氧化峰.

关 键 词:5  3′  5′-三磺酸基-2  3  4  4′-四羟基脱氧安息香三钠盐  晶体结构  抗氧化  循环伏安法
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