C20与Si(100)-(2×1)重构表面相互作用的计算机模拟研究 |
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作者姓名: | 满振勇 冯锡淇 |
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作者单位: | 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050 |
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摘 要: | 用分子动力学的方法模拟研究了低能C20与Si(100)-(2×1)重构表面的相互作用过程.将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型.荷能C20垂直轰击到Si(100)-(2×1)表面后,由于在<110>方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动,改变的入射能量导致C20与Si(100)-(2×1)表面最接近的垂直距离不同,从而受到不同的横向力场的作用而产生不同的表面运动特性.C20能量耗尽后稳定吸附在Si(100)-(2×1)表面,且只有两个稳定吸附位置,即二聚体(dimer)和"峡谷"(trough)位,这两个吸附位置的存在可用C20与Si(100)-(2×1)表面之间非对称的表面力场分布来定性解释.最终C20与Si(100)-(2×1)表面有强烈的化学键形成.模拟结果与STM的实验观察结果进行了比较.
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关 键 词: | 分子动力学 C20 Si表面 |
文章编号: | 1001-246X(2000)01-0065-06 |
修稿时间: | 1999-08-21 |
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