铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究

研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在晶体－非晶界面偏析，但当铒偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止，剩余损伤层变为多晶结构。在３５０ｋｅＶ的高剂量注入下，再结晶区域内的最大掺杂浓度随退火温度的增加而降低，但对１５０ｋｅＶ的低剂量注入，观察到８５０℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。