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| 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ) | |
| 引用本文： | 王涛,姚键全,张国义. 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)[J]. 物理, 2005, 34(9): 648-653,699 |
| 作者姓名： | 王涛 姚键全 张国义 |
| 作者单位： | 1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871 2. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072 3. 北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60376005）、长江教授基金资助项目 |
| 摘 要： | 文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术（MOCVD）生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响，详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响，特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能；文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况． |
| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积外延（MOCVD） InGaN GaN 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长 |
| 收稿时间： | 2004-10-15 |
| 修稿时间： | 2004-10-152005-04-10 |
MOCVD Growth of GaN- based light emitting diodes and laser diodes(Ⅰ) |
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| WANG Tao,YAO Jlan-Quan,ZHANG Guo-Yi. MOCVD Growth of GaN- based light emitting diodes and laser diodes(Ⅰ)[J]. Physics, 2005, 34(9): 648-653,699 | |
| Authors: | WANG Tao YAO Jlan-Quan ZHANG Guo-Yi |
| Abstract: | We review the influence of MOCVD growth conditions on the optical and crystal properties of GaN. The optical properties of InGaN are investigated in terms of carrier localization and quantum confined Stark effects. The influence of these two effects on the performance of light emitting diodes and laser diodes are compared in detail, from which we see that they differ significantly. Since A-face sapphire is now available in very large size it is attractingmuch attention as a substrate for electronic devices, and growth on such substrates is also reviewed. |
| Keywords: | MOCVD InGaN GaN LED LD MQW |
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