| 低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析 |
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| 引用本文： | 张丽伟,赵剑涛,杨根,李红菊,郭学军,卢景霄.低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析[J].半导体光电,2007,28(1):58-59,67. |
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| 作者姓名： | 张丽伟 赵剑涛 杨根 李红菊 郭学军 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000;郑州大学,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州450052 |
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| 摘 要： | 用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征.结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500 ℃之间,存在结晶最佳点,400 ℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高.
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| 关 键 词： | Raman 硅薄膜 微结构 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）01-0058-02 |
| 修稿时间： | 2006-07-11 |
Raman Analysis of Microstructure of Silicon Thin Films Deposited at Low Temperatures |
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| ZHANG Li-wei,ZHAO Jian-tao,YANG Gen,LI Hong-ju,GUO Xue-jun,LU Jing-xiao.Raman Analysis of Microstructure of Silicon Thin Films Deposited at Low Temperatures[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(1):58-59,67. |
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| Authors: | ZHANG Li-wei ZHAO Jian-tao YANG Gen LI Hong-ju GUO Xue-jun LU Jing-xiao |
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| Institution: | 1. Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, CHN; 2. Xinxiang Normal College, Xinxiang 453000,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman silicon thin films microstructure |
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