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| HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响 | |
| 引用本文： | 杨丹丹,徐永宽,程红娟,张嵩,李晖,徐所成,史月增,刘金鑫,岳洋,张峰,郝建民.HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响[J].固体电子学研究与进展,2012(3):215-218. |
| 作者姓名： | 杨丹丹 徐永宽 程红娟 张嵩 李晖 徐所成 史月增 刘金鑫 岳洋 张峰 郝建民 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 摘 要： | 采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。 |
| 关 键 词： | 氢化物 气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 拉曼光谱 V/Ⅲ |
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