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| 纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列 | |
| 引用本文： | 谭吉春,杜少军.纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列[J].强激光与粒子束,1996,8(4):530-534. |
| 作者姓名： | 谭吉春 杜少军 |
| 作者单位： | 国防科技大学物理系光电室 |
| 摘 要： | 报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约０．７～５ｎｓ，近场光斑面积约１００ｍｍ×６ｍｍ；已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法，用该方法使激光脉冲等效重复率达约１００ＭＨｚ；介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。 |
| 关 键 词： | 激光器阵列 纳秒脉冲技术 半导体激光 laser array semiconductor laser nanosecond pulse photoconductive semiconductor switches high-power microweves |
GaAs LASER ARRAY WITH NANOSECOND PULSE WIDTH |
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| Tan Jichun,Du Shaojun,Liu Shaobo.GaAs LASER ARRAY WITH NANOSECOND PULSE WIDTH[J].High Power Laser and Particle Beams,1996,8(4):530-534. | |
| Authors: | Tan Jichun Du Shaojun Liu Shaobo |
| Abstract: | |
| Keywords: | laser array semiconductor laser nanosecond pulse photoconductive semiconductor switches high-power microweves |
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