| 利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒 |
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| 引用本文： | 薛清,郁伟中,黄远明. 利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒[J]. 物理实验, 2002, 22(8): 17-20 |
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| 作者姓名： | 薛清 郁伟中 黄远明 |
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| 作者单位： | 1. 南阳理工学院材料研究中心,河南,南阳,473004
2. 清华大学物理系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后，用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明：纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化。在升温过程中，若单位时间内温度变化量较大（－100℃/s），则所形成纳米硅粒较小（1．6－15nm）； 若单位时间内温度变化量较低（－1℃/s），则纳米硅粒较大（23－46nm）。根据晶体生长理论和计算机模拟，讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。
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| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 纳米硅晶粒 拉曼散射 快速热退火 X射线衍射 晶体生长 |
| 文章编号： | 1005-4642(2002)08-0017-04 |
| 修稿时间： | 2001-11-24 |
Growth of nanoscale silicon particles in a-Si:H films by rapid thermal annealing method |
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| XUE Qing ) YU Wei zhong ) HUANG Yuan ming ). Growth of nanoscale silicon particles in a-Si:H films by rapid thermal annealing method[J]. Physics Experimentation, 2002, 22(8): 17-20 |
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| Authors: | XUE Qing ) YU Wei zhong ) HUANG Yuan ming ) |
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| Affiliation: | XUE Qing 1) YU Wei zhong 2) HUANG Yuan ming 1) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocrystalline silicon Raman scattering rapid thermal annealing X ray diffraction |
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