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色散关系和纵向耦合腔(C~3)对半导体激光器的模谱行为的影响
引用本文:郭长志,黄永箴.色散关系和纵向耦合腔(C~3)对半导体激光器的模谱行为的影响[J].物理学报,1990(11).
作者姓名:郭长志  黄永箴
作者单位:北京大学物理系,北京大学物理系 北京,100871,北京,100871
摘    要:本文从理论上探讨了色散关系的作用,引进α_e和F因数,修正了半导体激光器的光谱线宽公式,发现通过波导结构的设计不但可减小α_e因数,还可增大F因数来进一步抑制光谱线宽,用所提出的等效反射率法分析了纵向耦合腔(C~3)的选模和压缩线宽的机制,指出实现单纵模窄线宽的条件。

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