| 用XPS法精确测量硅片上超薄氧化硅的厚度 |
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| 引用本文： | 刘芬,邱丽美,赵良仲,王海,阚莹,宋小平. 用XPS法精确测量硅片上超薄氧化硅的厚度[J]. 化学通报, 2006, 69(5): 393-398 |
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| 作者姓名： | 刘芬 邱丽美 赵良仲 王海 阚莹 宋小平 |
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| 作者单位： | 中国科学院化学研究所,北京,100080;国家标准物质研究中心,北京,100013 |
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| 摘 要： | 简单介绍了硅片表面超薄(0.3～8nm)氧化硅厚度的XPS测量方法。方法根据XPS测得的元素硅和氧化硅的Si2p谱线强度,使用较简单的厚度分析公式计算。本文还介绍了厚度分析公式中两个关键参数(光电子衰减长度LSiO2和氧化硅纯硅体材料的Si2p电子强度比R0)的理论计算和实验测量方法。此外,文中还介绍了用XPS测量厚度的实验步骤,包括样品方位角和光电子发射角的选择以及XPS数据处理方法。使用上述XPS测量方法,目前对于超薄SiO2的厚度测量不确定度已可达到1%。
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| 关 键 词： | 栅极氧化物 氧化硅 厚度测量 衰减长度 X射线光电子能谱 |
| 收稿时间： | 2005-08-22 |
| 修稿时间： | 2005-08-222006-01-06 |
Accurate Measurements of the Oxide Thickness for Ultra-thin SiO2 on Si by using XPS |
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| Liu Fen,Qiu Limei,Zhao Liangzhong,Wang Hai,Kan Ying,Song Xiaoping. Accurate Measurements of the Oxide Thickness for Ultra-thin SiO2 on Si by using XPS[J]. Chemistry, 2006, 69(5): 393-398 |
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| Authors: | Liu Fen Qiu Limei Zhao Liangzhong Wang Hai Kan Ying Song Xiaoping |
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| Affiliation: | Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080; National Research Center for Certified Reference Materials, Beijing 100013 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gate oxide SiO_2 Thickness measurement Attenuation length XPS |
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