| 不同添加气体对SiC材料SF_6干法刻蚀的影响 |
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| 引用本文： | 柴常春,杨银堂,李跃进,姬慧莲,童红亮. 不同添加气体对SiC材料SF_6干法刻蚀的影响[J]. 微电子学, 2001, 0(1) |
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| 作者姓名： | 柴常春 杨银堂 李跃进 姬慧莲 童红亮 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 !(6 9772 0 2 3) |
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| 摘 要： | 以六氟化硫 ( SF6)作为刻蚀气体 ,采用不同的添加气体 O2 或 N2 分别进行了 Si C薄膜的等离子体刻蚀 ( PE)工艺研究。实验表明 ,SF6中加入 O2 有助于 Si C材料刻蚀速率的提高 ;但是 ,在相同的刻蚀工艺条件下 ,N2 的加入只起到稀释气体的作用而未参与刻蚀反应 ,Si C刻蚀速率随 N2 的通入而有所降低
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| 关 键 词： | 添加气体 等离子体刻蚀 SiC薄膜 |
Effects of Different Additive Gases on Dry Etching of SiC in SF_6 |
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| CHAI Chang-chun,YANG Yin-tang,LI Yue-jin,JI Hui-lian,TONG Hong-liang. Effects of Different Additive Gases on Dry Etching of SiC in SF_6[J]. Microelectronics, 2001, 0(1) |
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| Authors: | CHAI Chang-chun YANG Yin-tang LI Yue-jin JI Hui-lian TONG Hong-liang |
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| Keywords: | Additive gas Plasma etching (PE) SiC film |
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