| SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究 |
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| 引用本文： | 李竞春,杨沛峰,杨谟华,谭开洲,何林,郑娥.SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究[J].微电子学,2001(3). |
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| 作者姓名： | 李竞春 杨沛峰 杨谟华 谭开洲 何林 郑娥 |
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| 作者单位： | 电子科技大学!四川成都610054(李竞春，杨沛峰，杨谟华)，信息产业部电子第二十四研究所!重庆400060(谭开洲，何林，郑娥) |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)
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| 关 键 词： | SiO2栅介质薄膜 SiGe器件 MOSFET PECVD |
Low Temperature Preparation of SiO_2 Gate Insulators for SiGe PMOS Devices |
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| LI Jing chun ,YANG Pei feng ,YANG Mo hua ,TAN Kai zhou ,HE Lin ,ZHENG E WTBX.Low Temperature Preparation of SiO_2 Gate Insulators for SiGe PMOS Devices[J].Microelectronics,2001(3). |
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| Authors: | LI Jing chun YANG Pei feng YANG Mo hua TAN Kai zhou HE Lin ZHENG E [WTBX] |
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| Institution: | LI Jing chun 1,YANG Pei feng 1,YANG Mo hua 1,TAN Kai zhou 2,HE Lin 2,ZHENG E 2 [WT6BX] |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiO 2 gate insulator SiGe device MOSFET PECVD |
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