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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究
引用本文:姚红英,顾 晓,季 敏,张笛儿,龚新高.SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究[J].物理学报,2006,55(11):6042-6046.
作者姓名:姚红英  顾 晓  季 敏  张笛儿  龚新高
作者单位:复旦大学物理系,上海 200433
基金项目:国家自然科学基金,上海市科委基金和国家重点基础研究发展计划(973)项目资助的课题.
摘    要:采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co, Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In (Ga)的扩散激活能只有0.1—0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象. 关键词: 第一性原理 表面扩散 结合能 金属原子

关 键 词:第一性原理  表面扩散  结合能  金属原子
文章编号:1000-3290/2006/55(11)/6042-05
收稿时间:04 21 2006 12:00AM
修稿时间:2006-04-21

First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface
Yao Hong-Ying,Gu Xiao,Ji Min,Zhang Di-Er and Gong Xin-Gao.First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface[J].Acta Physica Sinica,2006,55(11):6042-6046.
Authors:Yao Hong-Ying  Gu Xiao  Ji Min  Zhang Di-Er and Gong Xin-Gao
Institution:Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China
Abstract:The adsorption properties of metal atoms on the hydroxyl SiO2 surface have been studied by using first-principles calculation. It is found that In and Ga atoms are weekly bound to the surface, while Fe, Co and Ni atoms are bound to both Si and O atoms with strong chemical bonds. Potential energy surface and diffusion barrier calculations show that In (Ga) can easily diffuse on the surface because of a rather small diffusion barrier(0.1—0.3 eV). The obtained results are in close agreement with recent nano- synthesis experimental results.
Keywords:first principle    surface diffusion    binding energy    metal atom
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