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| Ⅲ——Ⅴ族半导体中的深杂质态 | |
| 作者姓名： | M.Jaros 黄世华 |
| 作者单位： | 马萨诸塞大学物理与天文系 |
| 摘 要： | 为确定禁带中深能级位置与杂质波函数定域化之间的关系,把最近发表的赝势杂质计算进行了推广。过去曾发现,这些函数定域在距中心最近邻的距离内,而且这种定域化不是有关能级在禁带中位置的敏感函数。如果从波矢空间不同部分的贡献来研究杂质能量和波函数的形成,就能够解释这个结果。导带和价带二者的贡献都很大,因为通常它们的符号相反,所以能级的最终位置取决于仔细的抵消过程。这个过程也影响了波函数的波节结构。过 |
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