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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究
引用本文:崔毅,王宝辉,张力.a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究[J].光谱实验室,2002,19(5):620-622.
作者姓名:崔毅  王宝辉  张力
作者单位:1. 内蒙古民族大学化学系,内蒙古通辽市,028043
2. 大庆石油学院化学化工学院,黑龙江省安达市,151400
基金项目:内蒙古民族大学科研项目
摘    要:采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(s-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:h薄膜的能带结构,为a-Si:H薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法。

关 键 词:a-Si:H薄膜  氢化非晶硅  表面光电压谱  光电化学  半导体材料
文章编号:1004-8138(2002)05-0620-03
修稿时间:2002年5月28日

Surface Photovoltaic Spectrometry and Photoelectrochemical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Films
CUI Yi WANG Bao Hui,ZHANG Li.Surface Photovoltaic Spectrometry and Photoelectrochemical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Films[J].Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory,2002,19(5):620-622.
Authors:CUI Yi WANG Bao Hui  ZHANG Li
Institution:CUI Yi WANG Bao Hui * ZHANG Li
Abstract:Photovoltaic and photoelectrochemical properties of hydrogenated amorphous silicon(a Si:H) films were investigated by surface photovoltaic spectrometry and PEC method.The results show that the photovoltage spectra(SPS) of three type a Si:H films are difference,which highly depend on the doping conditions.Based on the spectra,the valence band and conduction band of intrinsic a Si:H film were calculated.
Keywords:Hydrogenated Amorphous Silicon  Surface Photovoltaic Spectrometry  Photoele  ctrochemistry  
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