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| 立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量 | |
| 引用本文： | 窦庆萍,马海涛,贾刚,陈占国,李海兰,张晓婷,张铁臣.立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量[J].科学技术与工程,2004,4(9):753-755. |
| 作者姓名： | 窦庆萍 马海涛 贾刚 陈占国 李海兰 张晓婷 张铁臣 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学试验区,长春,130023;牡丹江师范学院,牡丹江,157012 2. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学试验区,长春,130023 3. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60176009、 69976013、69676025)，吉林省科学技术厅基金(20010580)资助 |
| 摘 要： | 宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性，因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制，首次观察到cBN的电光效应，并且测得了样品的半波电压． |
| 关 键 词： | cBN晶体 线性电光效应 半波电压 |
| 文章编号： | 1671-1815(2004)09-0753-03 |
| 修稿时间： | 2004年4月26日 |
Measurement of Half-wave Voltage on cBN with Transverse Electro-optic Modulation |
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| DOU Qingping,MA Haitao,JIA Gang,CHEN Zhanguo,LI Hailan,ZHANG Xiaoting,Zhang Tiechen.Measurement of Half-wave Voltage on cBN with Transverse Electro-optic Modulation[J].Science Technology and Engineering,2004,4(9):753-755. | |
| Authors: | DOU Qingping MA Haitao JIA Gang CHEN Zhanguo LI Hailan ZHANG Xiaoting Zhang Tiechen |
| Abstract: | Cubic BN (cBN) , a kind of wide-gap semiconductor material, has zincblende structure and 43 m symmetry, so cBN is also a kind of electro-optic crystals. Transverse electro-optic modulation on cBN was carried out, for the first time the linear electro-optic effect in cBN was observed, and the half-wave voltage of cBN sample was measured. |
| Keywords: | cBN crystal linear electro-optic effect half-wave voltage |
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