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| SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展 | |
| 引用本文： | 苏步春,张海鹏,王德君.SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展[J].微电子学,2011,41(3). |
| 作者姓名： | 苏步春 张海鹏 王德君 |
| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学,电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018 2. 杭州电子科技大学,电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁,大连,116024;杭州汉安半导体有限公司,杭州,310018 3. 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁,大连,116024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60306003); 浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066) |
| 摘 要： | 概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。 |
| 关 键 词： | 绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 闩锁效应 |
Progress in Research of Anti-Latch-Up Effect of SOI LIGBT |
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| SU Buchun,ZHANG Haipeng,WANG Dejun.Progress in Research of Anti-Latch-Up Effect of SOI LIGBT[J].Microelectronics,2011,41(3). | |
| Authors: | SU Buchun ZHANG Haipeng WANG Dejun |
| Institution: | SU Buchun1,ZHANG Haipeng1,2,3,WANG Dejun2(1.Key Lab.of RF Circ.& Syst.under Ministry of Education,School of Elec.& Inform.,Hangzhou Dianzi Univ.,Hangzhou 310018,P.R.China,2.School of Elec.Sci.and Technol.,Faculty of Elec.Inform.and Elec.Engineer.,Dalian Univ.of Technol.,Dalian,Liaoning 116024,3.Hangzhou Hanan Semiconductor Co.Ltd.,P.R.China) |
| Abstract: | Research of anti-latch-up structure of SOI LIGBT and its improvement from deep p+ sinker SOI LIGBT to vertical gate RF SOI LIGBT with a shorted-anode were described in general.Some improved anti-latch-up structure of SOI LIGBT were presented in detail,including buried gate SOI LIGBT,dual-gate SOI LIGBT and vertical gate RF SOI LIGBT with a shorted-anode.Finally,it was pointed out that the basic method to restrain latch-up effect is to alleviate or remove positive feedback coupling between parasitic bipolar ... |
| Keywords: | SOI LIGBT Latch-up effect |
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