| 碘化铅单晶体生长新方法探索 |
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| 引用本文： | 贺毅,朱世富,赵北君,金应荣,朱兴华,栾道成. 碘化铅单晶体生长新方法探索[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(2): 289-292,333 |
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| 作者姓名： | 贺毅 朱世富 赵北君 金应荣 朱兴华 栾道成 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;成都信息工程学院光电技术系,成都,610225 |
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| 摘 要： | 本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。
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| 关 键 词： | PbI2 晶体生长 碘蒸发 铅沉淀 U型安瓿 提拉法 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）02-0289-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-13 |
Research on New Method for Growing Lead Iodide (PbI2) Single Crystal |
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| HE Yi,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,JIN Ying-rong,ZHU Xing-hua,LUAN Dao-cheng. Research on New Method for Growing Lead Iodide (PbI2) Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(2): 289-292,333 |
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| Authors: | HE Yi ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun JIN Ying-rong ZHU Xing-hua LUAN Dao-cheng |
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| Affiliation: | 1. Department of Materials Science and Engineering, Siehuan University, Chengdu 610064, China; 2. School of Materials Science and Engineefing,Xihua University,Chengdu 610039, China; 3. Department of Opto-electronic Technology,Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PbI2 |
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