| 具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究 |
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| 引用本文： | 张雄,范艾杰,崔一平.具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究[J].安庆师范学院学报(自然科学版),2021,27(3):1-7. |
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| 作者姓名： | 张雄 范艾杰 崔一平 |
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| 作者单位： | 东南大学电子科学与工程学院,先进光子学中心,江苏南京210096 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层.通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41％的非极性a面p-AlGaN外延层的结构与电学性质.特别针对具有较高Al组分的非极性a面p-AlGaN层的外延生长,创新性地研发了一种以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长工艺.研究结果表明,在非极性a面p-AlGaN外延层的MOCVD生长过程中采用以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长技术,可以显著提高非极性a面p-AlGaN外延层电导率.其中,利用该技术所生长的p-Al0.41Ga0.59N外延层样品的空穴浓度可高达7.0×1016 cm-3,为制备高发光效率的非极性a面AlGaN基紫外发光二极管打下了坚实的基础.
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| 关 键 词： | 脉冲流量供给 非极性a面p-AlGaN 镁掺杂 表面形态 电阻率 空穴浓度 |
Study on Growth and Properties of Non-polar a-plane p-AlGaN Epi-layers with Various Al Compositions |
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| ZHANG Xiong,FAN Aijie,CUI Yiping.Study on Growth and Properties of Non-polar a-plane p-AlGaN Epi-layers with Various Al Compositions[J].Journal of Anqing Teachers College(Natural Science Edition),2021,27(3):1-7. |
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| Authors: | ZHANG Xiong FAN Aijie CUI Yiping |
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