| 光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性 |
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| 引用本文： | 孔泳,陈恒武,云晓,郝振霞,方肇伦. 光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性[J]. 分析化学, 2007, 35(5): 623-627 |
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| 作者姓名： | 孔泳 陈恒武 云晓 郝振霞 方肇伦 |
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| 作者单位： | 浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028;浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310028 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200～285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜。应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极。本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉。
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| 关 键 词： | 光刻掩膜 AZ光胶 聚碳酸酯 光化学改性 金微电极 |
| 修稿时间： | 2006-07-192006-10-07 |
A Simple Photomask with Photoresist Mask Layer for Ultraviolet-Photolithography and Its Application for Selectively Photochemical Surface Modification of Polymers |
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| Kong Yong,Chen Heng-Wu,Yun Xiao,Hao Zhen-Xia,Fang Zhao-Lun. A Simple Photomask with Photoresist Mask Layer for Ultraviolet-Photolithography and Its Application for Selectively Photochemical Surface Modification of Polymers[J]. Chinese Journal of Analytical Chemistry, 2007, 35(5): 623-627 |
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| Authors: | Kong Yong Chen Heng-Wu Yun Xiao Hao Zhen-Xia Fang Zhao-Lun |
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| Affiliation: | The Institute of Micro Analytical Systems, Department of Chemistry, Zhejiang University, Xixi Campus, Hangzhou 310028 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photomask AZ photoresist polycarbonate phtoochemical surface modification gold microelectrode |
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