| 超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈雄飞,汪雷,杨德仁. 超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1069-1072 |
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| 作者姓名： | 陈雄飞 汪雷 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25～2.38 eV.
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| 关 键 词： | 硫化铟 快速热处理 超声喷雾法, |
Preparation of In2Ss Thin Films by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Influence of Post Rapid Thermal Process |
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| CHEN Xiong-fei,WANG Lei,YANG De-ren. Preparation of In2Ss Thin Films by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Influence of Post Rapid Thermal Process[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1069-1072 |
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| Authors: | CHEN Xiong-fei WANG Lei YANG De-ren |
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