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高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究
引用本文:王瑜玉,赵永涛,肖国青,房 燕,张小安,王铁山,王释伟,彭海波. 高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究[J]. 物理学报, 2006, 55(2): 673-676
作者姓名:王瑜玉  赵永涛  肖国青  房 燕  张小安  王铁山  王释伟  彭海波
作者单位:(1)兰州大学物理学院,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院研究生院,北京 100039
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10405025,10475035)资助的课题.
摘    要:报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.关键词:高电荷态离子经典过垒模型电子发射产额

关 键 词:高电荷态离子  经典过垒模型  电子发射产额
文章编号:1000-3290/2006/55(02)/0673-04
收稿时间:2005-04-22
修稿时间:2005-07-04

Electron emission induced by the interaction of highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) with solid surface of Si(110)
Wang Yu-Yu,Zhao Yong-Tao,Xiao Guo-Qing,Fang Yan,Zhang Xiao-An,Wang Tie-Shan,Wang Shi-Wei and Peng Hai-Bo. Electron emission induced by the interaction of highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) with solid surface of Si(110)[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(2): 673-676
Authors:Wang Yu-Yu  Zhao Yong-Tao  Xiao Guo-Qing  Fang Yan  Zhang Xiao-An  Wang Tie-Shan  Wang Shi-Wei  Peng Hai-Bo
Affiliation:1. Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China;3. School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China
Abstract:The electron emission induced by highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) interacting with Si(110) surface is reported. The result shows that the electron emission yield Y has a strong dependence on the projectile charge state q, incidence angle ψ and impact energy E. In fitting the experimental data we found a nearly 1/tanψ dependence of Y. Theoretical analysis shows that these processes are closely related to the process of potential electron emission based on the classical over_the_barrier model.
Keywords:highly charged ion (HCI)   classical over barrier model(COBM)   electron emission yield
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