| 音响用低压大电流器件功率容量研究 |
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| 引用本文： | 叶新民.音响用低压大电流器件功率容量研究[J].微电子技术,2001,29(2):36-38. |
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| 作者姓名： | 叶新民 |
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| 作者单位： | 无锡华晶微电子股份有限公司, |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法，并从理论上作了探讨。
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| 关 键 词： | 功率容量 二次击穿 等效镇流电阻 音响 低压电流器件 晶体管 |
| 文章编号： | 1008-0147(2001)02-36-03 |
| 修稿时间： | 2000年7月25日 |
Study on Pwoer Capacity of Audio Transistors
Used in Low Voltage and High Current |
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| YE xin-min.Study on Pwoer Capacity of Audio Transistors
Used in Low Voltage and High Current[J].Microelectronic Technology,2001,29(2):36-38. |
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| Authors: | YE xin-min |
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| Abstract: | A method to improve the secondary breakdown characteristics of transistors is introduced in the paper,and theoretical discussion is also given. |
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| Keywords: | Power capacity Secondary breakdown Equivalent ballast resistor |
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